Có nhiều cách để sản xuấtBột silicon kim loại. Sau đây là một số phương pháp sản xuất chính:
Phương pháp giảm silica:
Nguyên tắc: Silica và chất khử carbon được giảm trong lò nhiệt độ cao để tạo ra silicon kim loại.
Quá trình: Silicon kim loại được tạo ra được làm mát, nghiền nát và sàng để thu được bột silicon kim loại có kích thước hạt khác nhau.
Lắng đọng hơi hóa học (CVD):
Nguyên tắc: Silane được phân hủy thành silicon và hydro trong tình trạng pha loãng hydro cao dưới tác động của năng lượng bên ngoài như nhiệt, lò vi sóng, laser, huyết tương, v.v., và nhanh chóng ngưng tụ trong môi trường pha khí để chuẩn bị bột nano silicon.
Ứng dụng: Bột silicon kim loại được điều chế bằng phương pháp này có độ tinh khiết cao và kích thước hạt đồng đều, phù hợp cho các ứng dụng điện tử có độ chính xác cao.
Phương pháp plasma:
Nguyên tắc: Các đặc tính nhiệt độ cao và năng lượng cao của huyết tương được sử dụng để phân hủy vật liệu nguồn silicon để tạo ra bột silicon kim loại.
Các tính năng: Bột silicon kim loại được điều chế bằng phương pháp này có độ tinh khiết cao và hoạt động cao.
Quá trình: Sau một lượng nhất định của bột silicon thô được phân tán, nó được gửi vào vòng cung plasma với khí trơ và được làm nóng ngay lập tức, do đó bột silicon thô ngay lập tức bay hơi vào hơi silicon ở nhiệt độ tương đối cao. Hơi silicon sau đó đi vào vùng làm mát và được cô đọng để trở thành bột silicon kim loại cấp nano.
Hiển thị hình ảnh chi tiết sản phẩm bột silicon kim loại
